IGBT單管：多種先進(jìn)的IGBT技術(shù)平臺(tái)：平面非穿通，溝槽非穿通，平面場(chǎng)截止，溝槽場(chǎng)截止；從經(jīng)濟(jì)和性能方面為用戶提供靈活的選擇方案。

IGBT模塊：采用先進(jìn)的平面場(chǎng)截止技術(shù)，具有地飽和壓降和高速開(kāi)關(guān)特性，適合焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱等高頻電源應(yīng)用。

IPM：DIP-25 IPM智能功率模塊，集成IGBT三相逆變電路和過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、過(guò)熱等保護(hù)電路。

高壓VDMOS：成熟的高壓平面VDMOS產(chǎn)品。平面高壓MOS，電壓600~1500伏特，應(yīng)用于逆變器、充電器以及高壓開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。

以下是幾款典型的產(chǎn)品介紹：

1、JNG20T60FS TO-220F

產(chǎn)品介紹：
溝槽NPT工藝，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類逆變及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。20A 600V IGBT產(chǎn)品有TO-220F封裝、TO-220C封裝、TO-247封裝、TO-263封裝。

2、JNG40T60HS TO-247
產(chǎn)品介紹：
溝槽NPT工藝，1.8V低導(dǎo)通壓降，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類 逆變及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。40A 600V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝和TO-3P-3（內(nèi)絕緣）封裝。

3、JNG15T120HS TO-247
產(chǎn)品介紹：
溝槽NPT工藝，1.9V低導(dǎo)通壓降，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。15A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-220C封裝、TO-220F封裝、TO-3P-3(內(nèi)絕緣）封裝。

4、JNG25N120HS TO-247
產(chǎn)品介紹：
平面NPT工藝，優(yōu)秀的短路能力，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類變頻及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

5、JNG40T120HS TO-247
產(chǎn)品介紹：
溝槽NPT工藝，2.2V低導(dǎo)通壓降，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。40A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-247-3（內(nèi)絕緣）封裝。

6、JNG50N120LS TO-264
產(chǎn)品介紹：
平面NPT，優(yōu)秀的短路能力，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類變頻及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。50A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-264封裝、TO-247PLUS封裝。

7、JNG75T120LS TO-264
產(chǎn)品介紹：
溝槽NPT，1.75V低導(dǎo)通壓降，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類感應(yīng)加熱、逆變及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。75A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-264封裝和TO-247PLUS封裝。

8、JNG15N120AI TO-3P-3(內(nèi)絕緣）
產(chǎn)品介紹：
平面NPT，內(nèi)絕緣封裝，優(yōu)秀的短路能力，方形RBSOA，軟電流關(guān)斷波形。較低的開(kāi)關(guān)損耗帶來(lái)系統(tǒng)能效提升，廣泛應(yīng)用于各類變頻及開(kāi)關(guān)應(yīng)用。15A 1200V IGBT產(chǎn)品有TO-247封裝、TO-220C封裝、TO-220F封裝、TO-3P-3(內(nèi)絕緣）封裝。

9、JFQM3N150C TO-3PH
產(chǎn)品介紹：
平面MOS工藝，卓越EMI優(yōu)化設(shè)計(jì)及EAS能力，低導(dǎo)通電阻，廣泛應(yīng)用于各種開(kāi)關(guān)電源電路。3A 1500V MOSFET產(chǎn)品有TO-3PH封裝和TO-220F-3封裝。

10、JNG30T60IPD1S1 DIP-25
產(chǎn)品介紹：

IPM工藝，內(nèi)置低損耗600V 30A IGBT 三相逆變器;增強(qiáng)型輸入濾波，高速600V電平轉(zhuǎn)換;電源欠壓保護(hù)，短路（過(guò)流）保護(hù);兼容3.3V & 5V輸入信號(hào)，高電平有效;下橋臂IGBT發(fā)射極輸出;內(nèi)置自舉二極管。